2010년 이후 무어의 법칙 유지가능 트라이 게이트 트랜지스터 인텔 주식회사는(인텔 재팬) 19일 언론을 대상으로 설명회를 개최하고 새로운 3차원 구조의 트랜지스터 "트라이 게이트 트랜지스터 '를 발표했다. "트라이 게이트 트랜지스터 '는 정육면체 구조의 트랜지스터로 기존의 평면(2 차원) 트랜지스터의 표면에 해당하는 상단의 수평면과 양쪽에 수직 벽면을 갖춰 이에 따라 전기 신호를 통할 수 있다. 전기신호 통과 영역이 3배로 확대되는 것으로, 나노 영역에서의 동작효율을 향상시킬뿐 아니라, 같은 게이트 크기의 평면 (2 차원) 형에 비해 20% 많은 전류를 흐르게 수 있다. 설명회에서는 인텔 주식회사 이사 개발 · 제조 기술 본부장 성 코지 씨가 미국 오리건 Intel의 나노 기술 연구 시설에 대해 설명...
