tware 리뷰/벤치마크/뉴스

이번에는 IDF 2013에서 보여 온 인텔의 메모리 전략에 대해 설명하겠다. 메모리 자체는 오래전에 소개했지만,이를 게재한 2011년 기준에서 현재까지 대부분 상황이 변함 없다는 부분이 현재 메모리 상황이기도하다. 　그리고 2014년 이것은 크게 변하지 않고 변화가 있는 것은 2015년 기준에서..

2.5D 솔루션을 전제로 하는 HBM 규격 TB / sec 클래스의 초 광대역 메모리를 실현하는 새로운 메모리 규격 "HBM (High Bandwidth Memory)"이 드디어 보이기 시작했다. HBM은 이미 사양의 책정 작업이 끝나고 프로토 타입 시험제작 칩의 스펙 검증 작업에 들어간 것으로 알려졌다. 제품의 제공시기는 2015년경이 될 것 같다. 원칩으로 128GB/sec에서 256GB/sec의 메모리 대역을 실현하는 HBM에 의해 GPU나 일부 CPU의 메모리 대역은 한 단계 오른다. 그러나 당분간은 HBM은 다소 가격이 비싼 솔루션으로 머물러 GDDR5와 공존할 것이다. HBM은 JEDEC에서 개발중인 차세대 메모리 규격으로, 특징은 1,024-bit의 매우 폭이 넓은 인터페이스로 광대역의 메모..

DDR4/LPDDR4, USB Power Delivery, 액체없는 리튬 전지 등 회기 : 4 월 10 일 ~ 11 일 장소 : 중화 인민 공화국 북경시 국가 회의 중심 IDF는 Intel의 간부에 의해 수행되는 기조 강연이 메인 이벤트로 그래서 회사의 새로운 전략 등이 설명된다, 그러나 그것과 마찬가지로 중요시 되는 것이 기술 세션라는..

3개의 시장에 각각 다른 메모리 기술이 침투 미국 캘리포니아 주 산타 클라라에서 개최된 Server Memory Forum 장소 DDR4 등 차세대 메모리 기술과 DRAM 칩을 적층하는 실리콘 관통 비아 (TSV : Through Silicon Via) 기술 동향을 보여줬다. 포인트는 4개. 첫 번째는 DRAM 시장마다 다른 종류의 메모리가 주류가 되는 시대에 들어가는 것. 두 번째는 DDR4가 더 DDR3에서의 계승성이 높은 사양으로 메모리 속도도 둔화가 명확하게 된 것. 세 번째는 JEDEC (미국의 전자 공업회 EIA의 하부 조직으로 반도체의 표준화 단체)이 TSV를 진심으로 추진하고 있으며, 초기 단계에서 침투 시키려고 하고있다. 네 번째는 앞으로의 메모리 속도는 TSV에 기대하는 의견이 강해지고..

메모리 업계의 동향을 결정하는 Intel의 메모리 로드맵 　PC 메인 메모리 DDR3 시대는 오래 계속된다. 다음 DDR4 로의 이행이 본격적으로 시작되는 것은 2014년 까지 늦어지기 때문이다. 둔화된 메인 메모리의 속도를 만회할 DRAM 칩을 적층하거나 CPU 패키지에 싣는 기술이 침투 할 것이다. 한편,..