[고전 2001.11.27] 인텔 테라 헤르츠 트랜지스터 기술 발표

 

 

 

 

미국 Intel은 26일(현지시간)소비 전력과 발열 문제를 해결하고 테라 헤르츠(1 테라 헤르츠 = 1,000 GHz)의 속도를 제공하는 새로운 구조의 트랜지스터 "인텔 테라 헤르츠 트랜지스터" 개발에 성공했다고 발표했다.

이에 따라 회사 일본 법인의 인텔 주식회사는 27 일, 도내에서 보도 관계자 전용으로 테라 헤르츠 트랜지스터와 회사의 프로세서 제조 전략 및 패키징 기술에 대한 설명회를 개최했다.

또한 이러한 기술 내용은 12월 3일에 미국에서 개최되는 전자 소자에 대한 국제회의 "2001 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)"에서 상세하게 발표될 예정이다.

무어의 법칙은 앞으로도 유효

 

설명을 한 코지 인텔 이사 개발 · 제조 기술 본부장. 먼저 "무어의 법칙"에 따르면 2007년에는 CPU에 집적되는 트랜지스터 10억개가 되지만, 미 Intel이 이번에 발표한 게이트 길이 15nm 트랜지스터가 그 기초가 되는 것이라고 말했다.

또한 트랜지스터의 집적화를 추진때 기하 급수적으로 증가하는 전력의 해결이 필수적임을 ​​밝혔다.2001 ISSCC에서 회사의 패트릭 겔싱어 부사장 겸 CTO가 행한 강연, "전력 밀도"에 대한 프레젠테이션에서 프로세서의 단위 면적 당 전력(열)이 2010 년 이전에 핵 반응로와 동일하게 버리는 것을 인용, 문제의 심각성을 보여 주었다.

이를 해결하는 기술이 "테라 헤르츠 · 트랜지스터"이며, 무어의 법칙이 향후 10년은 유효하다는 것을 입증 할 수 있었다고 했다.

 

 

누설 전류 저감"과 "저전압"이 THz의 열쇠

통합에 따른 소비 전력의 증가 요인으로 "누설"이며 "동작 전압의 높이"가 꼽혔다. 누설 전류는 2 종류로 그 중 하나가 트랜지스터의 정보 흐름을 on / OFF하는 "게이트"의 절연막의 누설 전류. 이것은 절연막을 현재 사용되고 있는 "이산화 규소"에서 신소재의 "고유 전율 게이트 절연막 (High-k)"으로 바꾸는 것으로, 1 / 10, 000 이하로 누설 전류가 감소 됐다고 했다.

다른 하나는, 트랜지스터가 정보의 흐름을 OFF로 할 때의 누설 전류에 구체적인 영향으로 "노트 PC 등이 대기 상태에서도 전력을 소비해 버린다", "동작 전압이 높아진다"등이 꼽혔다. 이곳은 실리콘 위에 절연 층을 마련함으로써 누설 전류를 1 / 100로 감소, 동작 전압도 낮춘다고 했다.

 

2001년 11월 27일

 

 

넷버스트 아키텍처가(펜티엄4) 최소 상용화 6GHz, 최대 10Ghz 까지 가려던 꿈꾸던 시절. 나중에 다 취소

high-k 절연막은 나중에 메탈게이트가 + 되어서  45나노 펜린에(울프데일,요크필드)사용되게 되죠.

 

 

[정보분석] 인텔 45nm 공정 차세대 CPU Penryn(펜린) High-k 메탈게이트 성공.

 

 

[2001년01월17일] 10GHz CPU를 실현하는 Intel 0.03μm 트랜지스터 기술

 

 

[2002년09월19일] Intel, 3 차원 구조의 "트라이 게이트 트랜지스터 ' 발표