[분석정보] Intel, NAND의 1000배 빠른 비휘발성 메모리를 개발

"3D XPoint"의 구조도

 미국 Intel은 28 일 (현지 시간) Micron Technology와의 공동 연구를 통해 새로운 비 휘발성 메모리 "3D XPoint"를 개발, 양산을 개시했다고 발표했다.

 비 휘발성 메모리로는 현재 주류인 NAND 등장 이후 25년 만에 새로운 구조를 채용하고 있으며, NAND와 비교해 최대 1,000 배의 속도와 내구성 향상을 전망 할 수 있다고 말한다.

 3D XPoint는 10년 이상의 연구 개발 기간 거쳐 처음부터 개발, 실용화에 이른 기술이며, 트랜지스터를 사용하지 않는 독자적인 "크로스 포인트 구조"를 채용한다. 워드 선과 비트 선의 교차점에 메모리 셀을 배치하는 3D 바둑판을 만들 수 있기 때문에 메모리 셀에 대한 개별 접근이 가능해진다.

 크로스 포인트 배열 구조는 도체가 수직으로 배치된 1,280 억의 메모리 셀과 연결되는 3차원 고밀도 설계로 DRAM의 10 배의 집적도가 된다. 현재 메모리 셀이 2층 구조로 되어 있으며, 대당 128Gbit의 데이터를 저장할 수있다. 미래에 적층 수를 늘리고 용량을 더욱 향상이 가능하다는 것.

 트랜지스터가 불필요한 것은, 메모리 셀이 셀렉터에서 보내는 여러가지 전압에서 읽기 / 쓰기 할 수 있기 때문으로, 그에 따라 대용량화와 저비용 화를 실현.

 Intel은 올해 3D XPoint을 채용한 제품 샘플을 출하 예정하고 있고, 그 고속성이나 집적도가 높은 등의, 머신 러닝이나 (Machine learning 기계 학습) 패턴 분석, 유전자 분석 등 대용량 데이터의 고속 처리에 기대가 있다고 하며, 8K로 게임 등 엔터테인먼트 분야에서의 응용 프로그램의 창출을 촉진시키는 것이라 말했다.

"3D XPoint"다이

3D XPoint Technology Revolutionizes Storage Memory

Intel Micron Webcast

2015년 7월 29일 기사

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