45nm 153Mbit SRAM 미국 Intel 은 25 일 (현지 시간), 45nm 공정을 이용한 세계 최초의 SRAM 칩 제조에 성공 했다고 발표했다. 향후 개발 / 평가를 계속해 2007 년 하반기에 CPU에 응용시킬 전망. 이번에 시작한 것은 셀 크기 0.346 제곱μm, 다이 사이즈 119 제곱mm, 용량 153Mbit의 SRAM 칩.다이 사이즈 110 제곱 mm, 70Mbit였던 65nm의 시작품에서 거의 같은 크기에 배의 용량을 실현. 또한, 65nm 제품과 비교하여 트랜지스터의 스위칭 속도를 20 % 향상시키면서, 누설 전류는 80 %,트랜지스터 스위칭 전력은 30 % 감소했다. 이 SRAM 칩에 PROM이나, 레지스터 파일, I / O 회로, PLL / Clock 등을 부가 한 셔틀 테스..
