[분석정보] Intel, 45nm 공정의 153Mbit SRAM 제조 성공

 

 

 

45nm 153Mbit SRAM

 

 

 

미국 Intel 은 25 일 (현지 시간), 45nm 공정을 이용한 세계 최초의 SRAM 칩 제조에 성공 했다고 발표했다. 향후 개발 / 평가를 계속해 2007 년 하반기에 CPU에 응용시킬 전망.

이번에 시작한 것은 셀 크기 0.346 제곱μm, 다이 사이즈 119 제곱mm, 용량 153Mbit의 SRAM 칩.다이 사이즈 110 제곱 mm, 70Mbit였던 65nm의 시작품에서 거의 같은 크기에 배의 용량을 실현.

또한, 65nm 제품과 비교하여 트랜지스터의 스위칭 속도를 20 % 향상시키면서, 누설 전류는 80 %,트랜지스터 스위칭 전력은 30 % 감소했다.

이 SRAM 칩에 PROM이나, 레지스터 파일, I / O 회로, PLL / Clock 등을 부가 한 셔틀 테스트 칩의 제조에도 성공하고 있어 향후 CPU를 시작으로 한 논리회로의 응용도 순조롭게 진행 될 것으로 전망되고 있다.

이 회사는 지금까지 "무어의 법칙"대로, 2 년마다 프로세스 규칙을 축소하는 데 성공하고, 또한 앞으로 2009 년에는 32nm로 전환을 바라보고 있다.

45nm 공정 제품의 제조는, 미국 애리조나의 Fab32 및 이스라엘의 Fab28 등으로 시작될 예정.

 

 

메모리 셀 확대 사진

 

 

 

셔틀 테스트 칩. 상단이 SRAM, 중간은 SRAM, PRAM, I / O 회로 등을 포함, 하단은 개별 테스트 구조

 

 

 

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