3D 트랜지스터에서도 선봉으로 나아가는 Intel Intel은 22nm 공정 "P1270"에 3D 트랜지스터 기술 "트라이 게이트 (Tri-Gate) "를 채택했다고 발표했다. 기존의 트랜지스터는 2D 평면 이었지만, Intel의 새로운 공정은 3D의 입체 구조가 된다. 이것은 트랜지스터의 역사가 시작된 이래의 근본적인 구조 변화에 큰 단계이다. 장점은 누설 전류의 억제, 활성 전력 절감, 트랜지스터 속도 향상, 트랜지스터의 소형화 등. 무엇보다, 3D 트랜지스터 기술은 Intel 만 개발하고 있던 것은 아니다. 오히려 주요 반도체 업체들은 모두 이 기술에 주력하고 있으며, 반도체 컨퍼런스 "IEDM"에서는 매년 각사의 연구 성과가 발표되고 있었다. 22nm 3D 트라이 게이트 트랜지스터의 구조 실제 사..
