하스웰 eDRAM 3

[분석정보] Intel의 eDRAM 칩은 128 뱅크 구성에 읽기, 쓰기, 리프레시를 병렬

Intel이 자사 DRAM 제조로 돌아왔다 일찍이 DRAM의 선구자였던(최초 상용화 DRAM 개발) Intel은 자사에서 DRAM 칩의 제조를 재개했다. 그러나 범용의 DRAM 칩은 아닌 자신의 CPU에 최적화 한 초고속 DRAM이다. Intel이 자사에서 DRAM 제조에 나선 것은 프로세서의 병목이 메모리 액세스로 (발생) 되기 때문이다. 프로세서의 성능을 올리려면 메모리 대역폭을 대폭 올리지 않으면 안된다. Haswell 세대부터는 GPU 코어의 성능이 극적으로 올랐기 때문에 메모리 문제는 절박한 문제가 되었다. 소비 전력을 억제하며 메모리 대역 요구를 충족에는 중기적인 해결책으로는 맞춤형의(커스텀) DRAM 기술 밖에 없다고 Intel은 판단한 것이다. 1993년 3월 29일 한겨레 뉴스 Haswe..

[분석정보] 하스웰의 고성능 그래픽의 열쇠 Intel 제조 eDRAM의 상세

102.4GB/sec의 초광대역과 128 다 뱅크의 eDRAM Intel은 "4세대 Core 프로세서 (Haswell : 하스웰)"의 최상위 모델에 탑재하는 eDRAM (임베디드 DRAM)의 사양을 ISSCC (IEEE International Solid-State Circuits Conference)에서 밝혔다. Intel은 Haswell의 최상위 GPU 코어 구성 "Intel Iris Pro Graphics 5200 (GT3e)" 에 자체 개발 / 생산 eDRAM 칩의 L4 캐시를 갖췄다. 4 CPU 코어에 최대 구성 GPU 코어의 CPU 다이와 eDRAM 다이를 결합한 Multi-Chip Package (MCP) 제품으로 볼 수 있다. eDRAM "Crystalwell (크리스탈웰)"은 128MB ..

[아키텍처] Intel의 차기 CPU 하스웰(Haswell) eDRAM의 수수께끼

Intel이 숨기는 Haswell의 eDRAM 기술 Intel은 차기 CPU "Haswell"(하스웰,하즈웰)을 기를 쓰고 감추고 숨기고 있는 요소가 두 가지 있다. 하나는 통합 전압 레귤레이터 (iVR)이고 다른 하나는 온패키지의 eDRAM (임베디드 DRAM)이다. iVR는 Intel의 공정 기술에 깊게 관련된 기술 요소로 말하면, Intel의 비장의 카드다. 그래서 실제 실리콘이 나돌때 까지 발언 금지 명령 상태. 정보를 억제하려 하고 있는 것도 잘 안다. 그러면 eDRAM은 어떤가. Haswell 중 GPU 코어가 최대 구성인 GT3는 eDRAM을 패키지로 가져온 "GT3e"(코드 네임 Crystalwell) 구성이 포함되어 있다. eDRAM 이라 해도, 이것은 CPU 다이 (반도체 본체)에 혼재..