[고전 2001.06.12] Intel, 게이트 길이 20nm 트랜지스터 개발을 발표

2007년에는 20GHz 프로세서를 실현

왼쪽 : 로버트 S 차우 씨  오른쪽 : 성 코지 인텔 주식회사 이사

미국 Intel은 11일 (현지 시간) 게이트 길이 20nm (0.02μm) 트랜지스터를 개발했다고 발표했다. 거기에 아울러 회사 기술 · 제조 본부 로직 기술 개발 부문 트랜지스터 연구 담당 이사인 로버트 S 차우 씨가 방일. 기술 설명회를 개최했다.

　이번에 발표한 트랜지스터의 게이트 길이는 20nm로 작년 말에 발표한 게이트 길이 30nm 트랜지스터 보다 30% 축소되고 25% 고속으로 동작한다고 한다. 차우 씨는 "이 트랜지스터를 프로세서의 기초로 하여 2007년 경에 0.045μm (45나노) 공정에서 10억 개의 트랜지스터를 집적하고 약 20GHz에서 작동하는 프로세서를 실현한다 "고 설명했다.

2010 년까지의 프로세스 기술 로드맵 또한 이번 트랜지스터가 현재의 제품과 동일한 물리적 구조와 재료로 형성되는 것에 대해 "앞으로 미세화를 진행하기 위해 EUV (극 자외선)를 채용한 새로운 노광 기술과 High-k 게이트 절연 재료 등 새로운 트랜지스터 재료의 연구 등도 추진해 나갈 것 "이라고 말했다.

　이러한 연구 성과로 "2010 년까지 (실리콘에 집적되는 트랜지스터 수가 2년 마다 2배가된다) 무어의 법칙을 막을 장애물은 없다"하며 "앞으로도 무어의 법칙에 따른 현재 속도로 진화해 나갈 것 "이라고 말했다.

2001년 06월 12일 기사 입니다.

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