[고전 2005.08.05] 새로운 공장 건설에서 보는 인텔의 Fab 변천

 

애리조나에 새로운 공장을 건설하는 Intel

 

 

Intel은 애리조나에 새로운 공장을 건설

 

 7월 25일, Intel은 애리조나 챈들러에, 회사 6번째 300mm 웨이퍼 대응의 반도체 공장 (전 공정, Fab)을 건설한다고 발표했다. 30억 달러를 요하는 이 프로젝트는 즉​​시 착공되어 새로운 공장 (Fab32라고 함)은 2007년 하반기에 45n​​m 공정에 의한 양산을 시작 할 예정이다.

 챈들러는 이미 Fab12와 Fab22의 2개의 공장이 있으며, 후자는 200mm 웨이퍼에서 0.13μm (130nm) 공정의 로직 제품 (프로세서, 칩셋 등)을 양산 중이다. Fab12는 0.18μm (180nm) 공정의 200mm 웨이퍼 공장 이었지만 현재 300mm 웨이퍼 공장으로의 전환을 추진하고 있으며, 곧 (2005년 후반) 65nm 공정에 의한 양산을 개시 할 전망이다.

 새 공장 Fab32는 챈들러에 있는 공장의 끝자리가 2인것 (Fab12, Fab22) 에서 붙였다고 한다. 비슷한 예로, 아일랜드는 Fab14, Fab24과 끝이 4, 이스라엘은 Fab8, Fab18과 끝이 8로 되어 있지만, 모든 Fab이 이 명명에 준하고 있는 것은 아니다. 아래 표를 보면 알 수 있듯이, 지금까지 비교적 번호를 비우지 않고 온만큼, 갑자기 32로 비행 조금 놀랐다. (참고로 AMD의 Fab는 창업에서 몇 년째 가동했는가의 숫자를 취하게 되어 있는데, Fab의 숫자와 가동 해가 1년 정도 어긋나는 경우가 있다).

 또한 Intel의 300mm 웨이퍼 / Fab 으로, 2001년 D1C (오리건 주)를 시작으로 Fab11X (뉴멕시코 주), D1D (오리건 주), Fab24 (아일랜드)가 가동되어 왔다. 앞으로도 Fab12 (애리조나 주), Fab24-2 (아일랜드)로 이어질 예정이며, Fab32은 그것을 잇는 것이 된다. 솔직하게 세어 나가면, Fab32는 7번째지만, Fab24와 Fab24-2는 1개소로 계산하는 것 같다.

 또한 이 발표와 동시에 뉴멕시코주에서 폐쇄된 Fab에 1억 500만 달러를 투자하고 잠정적으로 컴포넌트 테스트 시설로 전환하는 것을 밝혔다. 뉴 멕시코 주 리오 란초는 가동중인 Fab11, Fab11X 외에 모두 2001년에 폐쇄된 공장으로서 Fab7과 Fab9가 있다. 이미 Fab9는 Fab11에 통합되어 있으며, 이번에 테스트 시설로 전환되는 것은 구 Fab7이라는 것이다.

 이상의 정보를 추가해 예전 이 칼럼에 게재한 Intel의 Fab 목록 테이블을 갱신한 것이 이번에 게재하는 표이다. 현존하는 가운데 가장 오래된 공장은 이스라엘 Fab8로 웨이퍼 크기도 유일한 150mm, 가장 미세화 공정이 0.35μm (350nm)로 오래된 것이 두드러진다. 그런데도 200mm 웨이퍼 공장을 폐쇄하고 Fab8을 남기는 것에서, 뭔가 정치적인 이유가 있는지, 아니면 특수한 제품 개발이나 뭔가의 사정으로 남길 필요가 있는지, 장소가 장소인 만큼 궁금한 곳이다.

인텔 팹 (전 공정) 목록
Fab 이름	위치		목적 (양산품종)	웨이퍼 크기	가장 미세화 공정	향후 계획 (구체화 된 것) 기타		300mm의 이행시기	비고
RP1	Hillsboro, Oregon*1		연구	N/A	N/A			N/A
DA1	Aloha, Oregon		N/A	N/A	N/A	Fab15로 전환		N/A
D1B	Hillsboro Oregon*1		N/A	N/A	N/A	Fab20으로 전환		N/A
D1C	Hillsboro Oregon*1		양산/ 개발	300mm	90nm	2007년부터 45nm 공정에 의한 플래시 개발		2001년 Q1 (180nm)	D1D 완성 후 90nm 공정 300mm 웨이퍼에 의한 양산 Fab으로 전환
D1D	Hillsboro, Oregon*1		개발	300mm	65nm			2003년 중반에 운용 개시	300mm 웨이퍼에 의한 65nm공정 개발
D2	Santa Clara, California		개발	200mm	90nm			2002년?	플래시 개발
Fab4	Aloha, Oregon		N/A	N/A	N/A	폐쇄		N/A	폐쇄
Fab5	Aloha, Oregon		N/A	N/A	N/A	Fab15에 통합 Fab 15.5로		N/A	Fab 15.5로 개칭
Fab7	Rio Rancho, New Mexico		N/A	N/A	N/A	1억 500만 달러 투자 컴포넌트 테스트 시설로 전환			2001년 말에 폐쇄
Fab8	Jerusalem, Israel		양산용 (플래시/로직)	150mm	350nm	가동중인 Fab중 가장 오래된			MEMS 연구 / 개발 150mm 웨이퍼, 350nm 공정
Fab9	Rio Rancho, New Mexico		N/A	N/A	N/A	2001년 Fab11에 통합			2001년 Fab11에 통합
Fab10	Leixlip, Ireland		N/A	N/A	N/A	98년 Fab14에 통합			130nm 으로 전환과 동시에 로직에서 플래시 메모리 양산 품종 변경
Fab11	Rio Rancho, New Mexico		양산용 (플래시/로직)	200mm	130nm	클린룸의 넓이는 인텔의 Fab중 최대			플래시와 IA 프로세서
Fab11X	Rio Rancho, New Mexico		양산용 (로직)	300mm	90nm			2002년 Q3 (130nm)	펜티엄4를 포함한 프로세서
Fab12	Chandler, Arizona		양산용(로직)	300mm	65nm	2005년 하반기 가동 예정		2005년 하반기	2004년 부터 전환공사 시작 2005년 양산 재개 예정
Fab14	Leixlip, Ireland		양산용(플래시/로직)	200mm	130nm	Fab10과 통합			180nm 공정에서 P4 대응 칩셋등
Fab15	Aloha, Oregon		N/A	N/A	N/A	예전 D1A, Fab5와 Fab15가 통합 운영되고 Fab 15.5로
Fab15.5	Aloha, Oregon		N/A	N/A	N/A	2002년 2월 마감. 현재 300mm/65nm/로직으로 전환 중 이라는 정보			Fab5가 Fab15의 일부로 개칭
Fab16	Fort Worth, Texas		플래시 양산 (예정)	N/A	N/A	혜택이 주의회를 통과하지 못했기 때문에 2003년 2월 용지 매각 결정		N/A
Fab17	Hudson, Massachusetts		양산용(로직)	200mm	130nm	구 DEC			구 DEC,130nm
Fab18	Lachish-Qiryat Gat, Israel		양산용 (플래시)	200mm	90nm	2005년 4Q 가동 예정			당초 플래시용으로 계획후 CPU,칩셋으로 변화하고 90nm공정에 의한 플래시 양산
Fab20	Hillsboro, Oregon*1		양산용(로직)	200mm	130nm	예전 D1B			예전 D1B
Fab22	Chandler, Arizona		양산용(로직)	200mm	130nm				패키지 관련 개발
Fab23	colorado Springs,Colorado		양산용(플래시/통신)	200mm	130nm	예전 rockwell 2000년 2월 인수
Fab24/24-2	Leixlip		양산용(로직)	300mm	90nm	2005년 말에 65nm로 이행		2003후반에 90nm 샘플	2004년 6월 양산 가동
Fab32	Chandler, Arizona		양산용(로직)	300mm	45nm	2007년 하반기 가동 예정		N/A	2007년 하반기에 300mm 웨이퍼를 이용한 45nm 공정에 의한 양산

 

 이 표에서 분명하지 않은 것이 Fab15.5로 2002년 2월에 폐쇄된 것은 알고 있는데, 그 후가 알수 없다. 폐쇄가 발표된 시점에서는 65nm 공정을 이용한 300mm 웨이퍼 / Fab (로직)으로 전환 한다는 이야기가 있었지만, 그 후의 Intel의 양산 계획에 Fab의 이름이 나오지 않는다. 이번에 발표된 Fab32가 6번째 300mm 웨이퍼 / Fab 됐다는 것은 전환 계획이 중지됐을 가능성도 있다. 덧붙여서 Intel은 2004년 6월에 200mm 웨이퍼에 대응하는 350nm ~ 250nm 공정 대응 반도체 제조 장치를 중국 강소의 Nanotech에 매각했지만 타이밍에서 생각하고 폐쇄한 것이 Fab15.5 것일 가능성이 높다.

 표 전체를 바라보면 신경이 쓰이는 1가지는 300mm 웨이퍼 / Fab은 모두 로직용 (그것도 아마 프로세서) 인 것이다. 비싼 300mm 웨이퍼 / Fab은 이익률이 높은 프로세서 우선임을 알 수있다. 플래시 메모리의 양산 공장에서 가장 새로운 것은 이스라엘의 Fab18이지만 이곳은 현재 2005년 4분기 가동을 목표로 전환하고 있는 곳이다. 가동한 "99년은 당초 예정 (플래시 메모리 양산)을 변경하여 프로세서를 제조하고 있었던 Fab18이지만 2001 ~ 2002 년에 칩셋의 생산을 한 후 당초의 목적대로 플래시 메모리 양산 향상으로 전환된다. 이 이스라엘에도 신공장 건설의 소문이 끊이지 않지만, 아직 발표에는 이르지 않았다. 과연 이번 발표에서 파기되어 버렸는지 아니면 앞으로 발표가 있을지 주목된다.

 또한 현재는 90nm 공정에 의한 프로세서의 양산을 하고 있다고 생각되는 D1C 이지만, 2007년부터는 본래의 개발 업무?로 돌아가 45nm 공정의 플래시 메모리를 개발하는 것으로 되어 있다. 과거 새로운 (공정) 개발 Fab의 완성과 함께, 기존 (공정) 개발 Fab은 (제품) 양산 공장으로 전환 되었지만, D1C이 아직까지도 (공정) 개발 Fab으로 취급되는 것은 이러한 미래 계획을 가진 때문일 것이다.

 

2005년 8월 5일 기사 입니다.

 

 

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