[고전 2001/03/01] Intel이나 DRAM 벤더가 RDRAM시스템의 저비용화 안을 발표-"2-Channel RIMM"이 등장

듀얼 채널 RDRAM 시스템의 비용 절감이 관건

 한바퀴 돌아 RDRAM 노선으로 돌아온 Pentium 4 플랫폼의 최대 과제는 듀얼 채널 RDRAM 시스템의 비용 절감이다. 이것을 SDRAM 시스템과 큰 차이가 없는 곳까지 축소하지 못하면, Intel이 말하는것 처럼 메인 스트림 PC를 전부 RDRAM으로 바꾸는 로드맵의 실현은 어렵다. 이번 IDF에서는 메모리 관련 세션에서 이 점에 대한 전망이 설명되었다.

 예를 들어, Samsung Electronics가 진행한 세션에서는, 2채널 Rambus 인터페이스를 하나의 RIMM에서 지원 가능한 "2-Channel RIMM"가 소개되었다. 이 새로운 RIMM을 사용하면 현재처럼 RIMM을 2매 세트로 끼울 필요가 없어진다. 또 Intel이나 DRAM 벤더에서는 마더 보드나 RIMM의 기판 층수를 줄이는 방향으로 개발이 진행되고 있음도 소개되었다.

 이 밖에 DRAM 벤더에서는 저비용 RDRAM 칩 디자인인 "4i (4 인디펜던트 뱅크 구성)"등, RDRAM 칩 자체의 제조 비용을 낮추는 기술이나 전망도 설명되었다. 그에 따르면, 결국 2002년에 RDRAM의 제조 비용을 SDRAM의 10% 증가 이내로 억제하려 한다. 즉, RDRAM 자체의 비용을 낮춤과 동시에 플랫폼의 비용을 억제해, 그 결과 듀얼 채널 RDRAM 플랫폼을 합리적인 비용으로 가져 간다는 것이다.

 이러한 RDRAM의 비용 절감은 '99년 가을에 결성된 RDRAM 보급을 위한 업계 단체 Direct RDRAM Implementers Forum에서 가장 중요한 의제로서 검토하기로 되어 있던 것. 그 결과가 드디어 보인 것이다.

2-Channel RIMM이 드디어 등장

 2-Channel RIMM은 Samsung이 행한 미래의 메모리 기술 세션에 등장했다. 현재 RIMM은 1매로 하나의 RDRAM 채널밖에 지원하지 않는다. 따라서 듀얼 채널 RDRAM 시스템에서는 최소 2개의 RIMM이 필요하다. 그러나 2-Channel RIMM은 1매의 RIMM에서 2채널을 지원하기 때문에, 듀얼 채널 시스템에서도 1매씩의 증설이 가능하다. 2-Channel RIMM에서는 1매의 RIMM의 오른쪽 장치와 왼쪽의 장치가 각각 다른 채널로 칩셋에 연결된다.

 Samsung에 따르면, 회사는 이 RIMM을 이미 개발 중이며, 시기는 발표 할 수 없지만, 실제로 시장에 출시 할 계획을 세우고 있다고 한다. 또 이 규격은 Samsung 독자의 것이 아닌, 다른 메이커도 호환 RIMM을 개발 또는 계획하고 있다고 삼성은 설명한다. 이것은 2-Channel RIMM이 Samsung 독자의 확장 디자인이 아닌, Rambus의 규격인 것을 의미한다.

 소식통에 따르면, 2-Channel RIMM은 코드명 "Platte"라고 부르며, Rambus는 2001년에 도입 계획으로 있었다고 한다. 그것이 멈추었는데, 이번 Intel의 RDRAM 노선으로의 되돌림으로서 재차 부환한 것 같다. 참고로, Samsung는 이 밖에 4-Channel RIMM 기술이나 4채널 이상 (예를 들어 8채널)을 지원하는 Multi-Channel RIMM 기술 등을 설명했다.

Pentium 4 마더 보드 레이어 수를 줄이다.

 이번 IDF의 Intel의 메모리 세션에서도 2-Channel RIMM의 도입을 시사하는 발언이 있었다. 세션에서는 Intel에서 메모리 전략을 담당하는 Peter MacWilliams 씨 (Intel Architecture Labs, Intel Fellow)가 등장, 재차 듀얼 채널 RDRAM이 Pentium 4에 최적인 메모리 아키텍처라고 강조했다. 그 위에, MacWilliams 씨는 RDRAM 시스템의 비용 문제를 언급하며, 우선 듀얼 채널 RDRAM 플랫폼의 비용을 SDRAM 플랫폼의 7% 증가까지로 억제하는 계획을 발표했다.

 그에 따르면, 듀얼 채널 RDRAM 마더 보드의 비용이 높은 것은, 6층 마더보드, 4개의 메모리 소켓, 터미네이션 등으로, 그 어느쪽이라도 줄일 수 있다고 한다. 그 중에서 RIMM 소켓의 수를 2기로 줄일 수 있다고 언급했다. 이것은 2-Channel RIMM을 전제로 한 전망이라고 생각된다.

 또한 MacWilliams 씨는 마더 보드 레이어 수에 관해서도 현재 6층을 4층으로 줄이는 개발이 진행 중이라고 설명했다. 업계 관계자에 따르면, 4층의 듀얼 채널 RDRAM 마더 보드 설계는, Intel이 Rambus의 협력을 얻어 이미 디자인을 개발하고 있다고 한다. 이 밖에 MacWilliams 씨는 RDRAM 시스템에서는 듀얼 채널에서도 칩셋의 메모리 핀 수가 약 160으로 적어진다는  장점을 지적. RIMM 소켓과 메인 보드 레이어 수를 줄이는 것으로, 최종적으로 듀얼 채널 RDRAM 마더보드의 비용을 PC133 SDRAM 마더보드의 7% 증가로 억제 할 수 있다고 설명했다. MacWilliams 씨에 따르면, DDR SDRAM 메인 보드의 비용은 PC133의 6% 증가로 듀얼 채널 RDRAM과 거의 다르지 않다고 한다.

 참고로, RIMM에 관해서도, 8층에서 6층으로 레이어를 줄이고, 또한 4층으로의 감소도 제안되고 있다고 한다. RIMM 테스트 공정의 비용은, 많은 장치를 동시에 테스트 가능한 병렬 테스트 기기의 도입으로 해결 가능하다고 한다.

4i 디자인으로 DDR SDRAM의 비용으로 좁힌다.

 한편, RDRAM 자체의 비용에 관해서는, 엘피다 메모리, 도시바, 삼성이

 중심이 되어 설명을 했다. RDRAM의 고비용의 요인은

 다이 (반도체 본체의 면적)의 오버 헤드, 패키지 비용, 테스트 비용이다.

 이 중, 첫째 요인인 다이 크기의 절감은, 뱅크 수를 줄이는 것으로 진행한다. RDRAM은 현재의 128 / 144Mbit 제품과 256 / 288Mbit 제품에서는 32뱅크 (2 뱅크씩 센스 앰프를 공유)의 메모리 뱅크를 가지는 "2x16d" 디자인으로 되어 있다. 이는 같은 용량의 SDRAM의 4 독립 뱅크보다 훨씬 많아, RDRAM의 비용을 올리는 큰 요인이 된다. 그래서 저비용 디자인 "4i" 에서는 이 뱅크 수를 4뱅크로 줄인다. 이 밖에 "16d"디자인도 도입된다.

 이것에 의해 다이 오버 헤드 (SDRAM에 비해)의 절감은, 효과를 제일 크게 추정하고 있는 Samsung에서 동일한 256Mbit 세대에서 2x16d가 10%인것에 비해 4i는 5%로 되어있다. 엘피다의 전망은 그보다 약간 많은 4i 에서 7 ~​​ 8%의 다이 오버헤드로 있다. 참고로, 엘피다에 의하면, 같은 용량의 DDR SDRAM의 다이 오버 헤드는 x16에서 4 ~ 5%, x32 라면 10% 정도라고 한다. 즉, 4i과 거의 차이가 없다는 것이다. 참고로, 256Mbit 에 이르면, DDR SDRAM은 메모리 granularity (최소 구성 단위)가 x16에서 128MB, x32에서 64MB가 된다.

 4i는 엘피다와 도시바가 0.13μm의 256Mbit 제품으로 내년 상반기에 양산, 1사 정도 앞서 달리는 Samsung은 올해 중반부터 출하 할 계획이었던 0.17μm의 256 / 288Mbit 제품을 시험제품 취급하고, 축소판으로 내년 초부터 양산에 들어갈 것 같다. 무엇보다, 실질적으로 물량을 내보내는 것은, Intel의 차세대 RDRAM 칩셋이 오면서 부터가 된다.

 패키지 비용의 절감은, WCSP (와이어 본딩 칩 사이즈 패키지) 등 저가의 패키지로 변경을 진행한다. 또, RDRAM은 높은 클럭 구동이기 때문에, 고클럭 제품의 수율이 나쁘지만, 공정의 미세화에 의해 문제는 해결 된다고 한다. 고클럭 제품의 수율에 관해서는, 항상 조심스런 엘피다도, 올해 3분기에는 대부분이 PC800이 되고, 2002년 들어가면 빠른 PC1066이 20% 정도  채취하게 될 것이라는 전망을 보여 주었다. 또 MacWilliams 씨에 따르면, 습득 곡선의 상승도 수율 향상을 전망한다고 한다.

 이러한 비용 절감에 의해, 엘피다의 전망에서는 2001년 초 70% 정도의 RDRAM 비용 오버 헤드 (SDRAM에 비해)는 급격히 감소, 2002년 하반기에는 (4i 디자인) DDR SDRAM의 비용에 거의 접근한다고 말한다. 각사 모두 2002년 4i 비용 오버 헤드는 거의 10%를 전망하고 있다.

 이상이 IDF에서 설명된 RDRAM의 비용 절감 계획의 개요다. 그렇지만 메모리의 가격은 결국 물량이 나오지 않는 한, 기술적으로도 시장으로도 내려가지 않는다. 하지만 이번 전개가 지금까지와 다른 것은, 적어도 메모리 업체 중 3사가 그것에 타고 RDRAM의 대폭 증산 계획을 세우고 있는 것이다. 그런 의미에서는 이번 이야기는 현실성이 높다.

 그렇게 말해도, RDRAM은 한번 똥칠을 하고 말았다. 마더보드 벤더나 메모리 모듈 벤더의 RDRAM에 대한 불신이 강하고, PC 벤더는 Intel의 거듭되는 메모리 전략 변경에 초조하다. RDRAM의 삐걱되게 묶는 디자인 가이드에 반발도 있다. 또 Intel만 칩셋 벤더라는 의미가 아니다. DDR SDRAM 진영에는 강력한 Micron Technology가 남아있다. 적어도 AMD 플랫폼과 서버는 DDR SDRAM으로 갔다.

이러한 상황에 있기 때문에, DRAM 전체의 움직임은 아직 어떤 추이가 되는지 보이지 않는다.

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